特斯拉计的测量原理主要基于两种核心技术，分别是霍尔效应和磁通门原理，其中霍尔效应应用最为广泛：

1. 霍尔效应原理（主流技术）

• 当电流通过半导体霍尔元件（如砷化镓、硅等材料），且元件处于垂直于电流方向的磁场中时，元件内部的载流子会因洛伦兹力发生偏转，在元件两端产生一个垂直于电流和磁场方向的电压，即“霍尔电压”。

• 霍尔电压的大小与磁场强度成正比（在电流恒定的情况下），通过测量霍尔电压并换算，即可得到对应的磁场强度数值。

• 优势：响应速度快、结构简单，适合测量直流或低频交变磁场，是多数特斯拉计的核心原理。

2. 磁通门原理

• 利用软磁材料（如坡莫合金）在交变磁场激励下的磁饱和特性，当外部磁场存在时，软磁材料的磁化曲线会发生不对称畸变，通过检测这种畸变信号可提取外部磁场强度。

• 优势：测量灵敏度高，尤其适合微弱磁场（如地磁场级别）的测量，但结构相对复杂，响应速度略慢于霍尔效应型。

两种原理均通过将磁场强度转化为可测量的电信号实现检测，实际应用中需根据测量范围、精度要求和磁场类型（直流/交流）选择对应原理的特斯拉计。